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三星为英伟达开发定制8Hi HBM内存
三星电子正为NVIDIA开发定制HBM内存产品,采用8层低堆叠设计,支持17~18Gbps高引脚速率。这款产品被称为HBM4E和NVHBM,比三星此前出样的HBM4E内存最高16Gbps速率更高。低堆叠设计可减少DRAM Die用量、提升生产良率,从而压低制造成本。
当前结论
三星给英伟达定制新HBM,8层堆叠+17-18Gbps速率,比自家旧款快1-2Gbps,能解决AI加速器的内存墙问题。
4 个信源73° AI 热度最后更新 2026/8/31 07:03:43
证据链
相关来源 1techcrunch
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