前英特尔 CEO 基辛格：HBM 位密度低、散热难，是"糟糕的内存"

前英特尔 CEO 帕特·基辛格在接受 a16z 专访时称 HBM 是"糟糕的内存"，只是当前能实现的最佳方案。他指出 HBM 堆叠中的 DRAM 裸片需通过大量硅通孔（TSV）连接，单颗裸片可容纳的存储单元因此减少，位密度偏低。散热方面，HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位，HBM4 提升至 2,048 位；韩国科学技术院的分析显示，HBM 功耗超过约 30 瓦时，PHY 接口自身发热会成为内存热应力的主要来源。他还提出"海岸线带宽"问题：芯片边缘可连接 HBM 的物理周长有限，限制了内存堆叠数量，对内存计算密集型的 AI 工作负载构成瓶颈。