Micron 公布到 2030 年的 HBM4、3D DRAM 与 AI 级 NAND 路线图

Micron 在最新报告中披露了到 2030 年的存储芯片规划：单栈 HBM4 带宽达 2.8 TB/s，13 块顶级 AI GPU 各配 8 栈即可匹敌约 282 TB/s 的全球国际互联网带宽。Nvidia GPU 显存从 H100 的 80GB 增至 B300 的 288GB，Micron 估计 AI 上下文长度每年增长 30 倍。公司计划 2028 年推出 vertical HBM，把内存直接堆叠在 GPU 上方；内部用 AI 写芯片逻辑和固件后，SSD 控制器设计时间缩短 50%，交付准备缩短 60%。Micron 还放弃了研究 20 多年的 4F² DRAM 单元布局，转向 3D 堆叠 DRAM，与坚持 4F² 的 SK hynix 和 Samsung 分道扬镳。