功率半导体是负责电能转换与控制的芯片品类，涵盖MOSFET、IGBT及碳化硅、氮化镓等宽禁带器件，下游遍及新能源汽车、光伏储能、工业电源与消费电子。当前这一领域呈现"成熟产能扩容"与"下一代材料竞速"并行的格局，中国、欧洲、韩国近期均有实质性动作。
功率半导体近期进展
当前焦点与观察点
竞争重心正从硅基产能规模转向材料与工艺代际：碳化硅加速上车，氮化镓向快充、数据中心电源渗透，构成主要增量来源。政策层面，多国已将功率半导体纳入产业扶持清单，补贴与研发基金密集落地。未来两年值得跟踪的变量包括：更大尺寸晶圆平台的切换进度、碳化硅良率与车规认证节奏，以及中国厂商在高端IGBT、碳化硅MOSFET上国产化率的提升幅度。