3D NAND

product · 首次出现 2026-05-22 · 最近出现 2026-10-22 · 累计提及 12

综述

3D NAND是一种将存储单元沿垂直方向逐层堆叠的闪存技术,依靠增加堆叠层数来提升存储密度,是当前固态硬盘和大容量移动设备存储的主流方案。层数越高,单颗颗粒的容量上限与成本优势越明显,但刻蚀精度与良率的难度也随之上升。

3D NAND 近期进展

  • 375层,2026年量产:SK海力士下一代V10 NAND确定采用375层堆叠,计划于2026年量产,用于承接后续大容量存储需求。SK海力士V10 NAND将采用375层堆叠,2026年量产
  • 900层原型:三星电子完成了900层超高堆叠3D NAND的原型开发,属实验室层面的成果,距离量产仍有较长的工程路径。三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发
  • 332层,2027年量产:铠侠规划的BiCS10将达到332层,目标2027年实现量产,延续其BiCS技术路线。铠侠计划2027年量产BiCS10 332层3D NAND闪存
  • 当前焦点与观察点

    从三家披露的节奏看,3D NAND的层数竞争分化出两条路径:三星以900层原型展示长期技术上限,SK海力士与铠侠则把375层和332层的量产时点分别锚定在2026年与2027年。后续值得观察的方向包括:高层数下的刻蚀与良率如何突破、混合键合等新工艺的落地进度,以及AI服务器与企业级SSD需求能否消化新增产能。对普通用户而言,这些节点将影响未来两三年大容量SSD的价格走势。

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