NAND闪存市场迎来复苏，五大原厂2026Q2营收预计环比增长77%

NAND闪存是一种非易失性存储技术，广泛应用于各类电子设备的数据存储领域。作为数字经济的基石，NAND市场正经历周期性波动与技术革新的双重影响。

NAND 近期进展

2026年第二季度，五大NAND原厂营收预计环比增长77%，美光表现尤为突出，营收有望翻倍。这一增长主要源于AI服务器对高性能存储需求的激增，以及库存周期的自然修复。TrendForce：五大NAND原厂2026Q2营收环比+77%，美光翻倍

英伟达Vera Rubin量产已推动TLC NAND现货价回升，512Gb产品价格达到21美元，较前期有明显上涨。这一价格变动反映了高端存储芯片供需关系的紧张，特别是在AI计算领域。英伟达 Vera Rubin 量产推高 TLC NAND 现货价，512Gb 回升至 21 美元

群联电子指出，NAND新增产能最快需4年时间才能形成有效供应，预计供应紧张状况可能持续多年。这一预测基于当前扩产周期和资本支出节奏的分析。群联：NAND新增产能最快需4年，供应紧张或持续多年

铠侠与闪迪联合发布第九代2Tb QLC闪存产品，接口速度提升33%达到4.8Gb/s，标志着NAND技术在密度和性能上的持续突破。铠侠与闪迪发布第九代2Tb QLC闪存，接口速度4.8Gb/s提升33%

当前焦点与观察点

SK海力士正加速扩大NAND产能，计划投资54.3万亿韩元在韩国建设新工厂，同时重启大连二厂建设，预计当地产能将增加五成。该公司2026年上半年人均薪酬达1.44亿韩元，CEO半年薪酬高达261亿韩元，反映行业人才竞争加剧。SK海力士2026上半年人均薪酬1.44亿韩元，CEO半年261亿韩元

SK海力士已确认其V10 NAND采用375层堆叠技术，并导入晶圆键合工艺，代表了当前NAND技术的先进水平。该公司同时评估重庆工厂约30亿美元估值，可能引入战略投资者。SK海力士确认V10 NAND为375层堆叠，导入晶圆键合技术

NAND市场正面临技术迭代与产能扩张的双重挑战。随着AI、云计算等应用对存储需求的持续增长，以及3D NAND层数的不断突破，行业将在技术创新与供需平衡中寻找新的增长点。