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高通第六代骁龙8超级至尊版芯片实物图曝光

安卓最强 2nm 芯片:高通第六代骁龙 8 超级至尊版实物图曝光

精选理由

高通新旗舰芯片实物图曝光,散热设计有创新,DRAM侧置布局值得关注。

高通第六代骁龙8超级至尊版(SM8975)芯片实物图被曝光,采用2nm工艺。该芯片封装面积大于前代,主要增加了散热结构。DRAM从SoC顶部移到侧边,并加入散热片,类似三星Exynos 2600的Heat Pass Block技术。该版本预计支持LPDDR5X内存,而非LPDDR6。

原文 · IT之家

安卓最强 2nm 芯片:高通第六代骁龙 8 超级至尊版实物图曝光

IT之家 9 月 8 日消息,消息源 @LaidBackDev_ 于 9 月 6 日在 X 平台发布推文,分享了一张安卓最强 2nm 芯片高通第六代骁龙 8 超级至尊版(Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6,型号 SM8975)的芯片实物图。 根据曝光的图片细节,第六代骁龙 8 超级至尊版封装面积要大于第五代骁龙 8 至尊版芯片,并非单纯扩大计算单元,增加的封装面积主要来自新的散热结构。 报道指出,传统 PoP(封装堆叠)方案通常将 DRAM 直接放在 SoC 上方。这种做法有助于缩小主板占用空间,但内存与处理器热量会集中在同一位置。 而第六代骁龙 8 超级至尊版将 DRAM 从 SoC 顶部移到侧边,并加入散热片, 类似于三星在 Exynos 2600 芯片采用的 Heat Pass Block(热传导模块)思路 。 HPB 全称为 Heat Path Block,是三星在 Exynos 2600 芯片中引入的散热技术,通过铜基散热块直接接触应用处理器(AP),利用铜的高导热性迅速传导芯片热量至散热结构,从而降低芯片温度、提升性能稳定性。 科技媒体 Wccftech 认为通过侧置 DRAM 单元,并配合散热片,这种方式可以降低内存与 SoC 之间的热量累积,让 CPU 和 GPU 在更长时间内保持较高频率。IT之家附上相关图片如下: 细节方面,芯片照片可见“SM8975”和“101-BC”标识。Wccftech 据此判断,该版本预计支持 LPDDR5X 内存,而不会采用速度更高、能效更优的 LPDDR6。 相关阅读: 《 安卓最强 2nm 芯片:高通第六代骁龙 8 至尊版 Pro 芯片曝光,类三星 HPB 散热方案首曝 》 《 安卓最强 2 纳米骁龙 8 Elite Gen 6 要来了:2026 高通骁龙峰会定档 9 月 22-24 日 》 《 安卓最强 2nm 芯片:高通阵营迭代新机 8 系芯片方案曝光,骁龙 8 Elite Gen6 可选 Pro 版 》 《 安卓最强 2nm 芯片:高通骁龙 8 Elite Gen 6 Pro 曝测试类三星 HPB 散热方案,但效果不如 Exynos 》 《 安卓最强 2nm 芯片:曝高通骁龙 8 Elite Gen 6 Pro 芯片仅有 LPDDR5X/LPDDR6 两个版本 》 《 安卓最强 2nm 芯片:高通测试 6 款骁龙 8 Elite Gen 6 Pro 样品,主打灵活内存 / 性能差异 》