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芯片散热

共 2 条相关 AI 资讯
7月21日
15:57
15:57官方一手Pandaily@contact@pandaily.com (Pandaily)
UCLA和东北大学联合研发出theta相TaN单晶,热导率高达1100 W/mK,是铜(约400 W/mK)的近三倍,接近钻石水平。该材料与金属工艺兼容,可直接用于AI芯片封装散热,有望替代传统散热方案。这项突破结束了近一个世纪以来铜在导热金属中的统治地位。
论文Theta-TaN热导率芯片散热

推荐理由:科学家搞出了一种叫Theta-TaN的新金属,导热是铜的三倍,接近钻石,以后AI芯片散热问题可能有救了。
原文
7月15日
11:12
11:12IT之家(博客/媒体)
精选
大阪公立大学研究团队开发出一种结合磁光半导体InAs与相变材料GST的可编程热器件,在仅3度入射角下非互易因子接近0.9。该器件通过GST在非晶与晶态间的可逆切换,实现断电后永久记忆配置状态。相比以往依赖陡峭入射角的设计,该原型在近垂直入射条件下即可高效定向控制热量。该技术有望用于芯片散热、辐射冷却和热光伏转换,但距商业应用仍面临工程挑战。
论文大阪公立大学InAsGST

推荐理由:大阪公立大学搞出个热器件,接近垂直角度就能定向控热,断电还能记住设置,比之前非要斜着照光的设计实用多了。
原文
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