High-NA EUV 是阿斯麦（ASML）推出的新一代极紫外光刻技术，通过将数值孔径从 0.33 提升到 0.55，实现更小线宽的芯片图案化，被视为通往 2nm 及以下制程的关键设备，目前处于领先晶圆厂导入量产的早期阶段。
High-NA EUV 的量产进展
从逻辑芯片扩展到存储与前沿研究
当前焦点与观察点
目前围绕 High-NA EUV 的争议主要集中在三点：一是成本，单台设备价格高昂，三星的暂缓决定就折射出资本开支压力；二是节奏，英特尔率先量产但整体产能仍在爬坡，英特尔 CTO 承认与台积电的制程差距小于 10%，可产能追赶仍需时间；三是应用范围，从逻辑芯片、DRAM 到量子器件的路线图正在快速铺开。未来 2027—2030 年，三星与台积电的量产时点兑现情况，以及该技术能否在存储领域证明经济性，将是判断其产业价值的关键观察点。