CMOS（互补金属氧化物半导体）是现代电子设备中广泛使用的一种集成电路制造技术，尤其在图像传感器和存储芯片领域占据核心地位。随着人工智能和物联网的快速发展，CMOS技术正经历着前所未有的创新与突破。
CMOS 近期进展
索尼与台积电将在熊本投资1万亿日元，计划于2029年量产下一代图像传感器，这将进一步提升CMOS在图像捕捉领域的性能边界。索尼与台积电将在熊本投资1万亿日元，2029年量产下一代图像传感器。铠侠与闪迪发布的第九代2Tb QLC闪存将接口速度提升至4.8Gb/s，较前代提升33%，展示了CMOS在存储技术方面的持续进步。铠侠与闪迪发布第九代2Tb QLC闪存，接口速度4.8Gb/s提升33%。思特威推出的50MP手机CMOS传感器SC505HS功耗降低约18%，而其2亿像素手机CMOS SCC62HS预计2026年Q3量产，反映了移动设备对更高性能CMOS传感器的需求。思特威推出 50MP 手机 CMOS 传感器 SC505HS，功耗降低约 18% 思特威推2亿像素手机CMOS SCC62HS，2026年Q3量产。此外，利用CMOS忆阻器进行分支预测的储备池计算研究，为人工智能硬件加速提供了新思路。利用CMOS忆阻器进行分支预测的储备池计算研究。
当前焦点与观察点
CMOS技术正朝着更高集成度、更低功耗和更强性能的方向发展。在消费电子领域，手机厂商对高像素CMOS传感器的不懈追求推动了整个行业的技术迭代。同时，AI应用的兴起也为CMOS带来了新的发展机遇，特别是在边缘计算和智能设备领域。然而，随着物理极限的临近，CMOS技术也面临着摩尔定律放缓的挑战，如何突破传统架构的限制成为业界关注的焦点。未来，CMOS与新兴技术的融合，如忆阻器、3D堆叠等，可能为电子产业带来革命性变革。