三星与高通合作开发AI芯片2.1D封装技术

消息称三星电机与高通合作开发基于有机桥片的 2.1D 先进封装

IT之家 9 月 14 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间本月 14 日报道称，三星电机 (SEM) 正与高通合作开发面向 AI 半导体芯片的 2.1D 先进封装，双方在该异构集成技术平台上已进行了超一年的研发与认证。 据悉两家企业的 2.1D 封装 采用了嵌入式有机桥片 。其设计思路类似英特尔的 EMIB，但以更平价的有机材料取代 EMIB 中的硅桥片。此举一方面可降低制造成本，也可规避英特尔持有的 EMIB 专利。 三星电机尝试的有机桥片 可视为以 RDL（重布线层）工艺形成 5~7 层微电路的小型衬底 ，目标实现 1.5~2μm 的线宽 / 间距、4~5μm 的通孔尺寸、500~1000/mm 的 图案密度。 与传统 FC-BGA 的堆叠式电路相比，有机桥片能够实现更精细的布线，从而带来更高的 I/O 带宽。