美光预告 2028 年推出垂直堆叠 HBM 与边缘推理内存 vEIM
美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 HBM 与边缘推理 vEIM
美光给了内存路线图：2028 年 vHBM 直接把 DRAM 堆到 XPU 上，vEIM 瞄准端侧推理，2TB/s 带宽，值得看看封装思路。
美光在 2026 年度技术网络研讨会上展望内存路线图，宣布 2028 年随 HBM5 一起推出 vHBM 和 vEIM 两种 3DS 内存。vHBM 是 3D 集成版 HBM，垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，可缩短数据通信路径、提升带宽并降低能耗，且能与标准 2.5D HBM 共存。vEIM 结构类似但面向端侧 AI 推理，初代目标为 2TB/s 带宽和低于 1pJ/bit 的能效。为落地这两款产品，美光计划采用无凸块混合键合技术并导入集成散热方案。
美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 HBM 与边缘推理 vEIM
IT之家 10 月 22 日消息，Micron（美光）当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望，本篇聚焦于堆叠集成的泛 HBM 内存产品。 美光预计在标准 HBM5 面世的 2028 年还有两种新型 3DS 内存也将到来， 分别是 vHBM 和 vEIM 。 vHBM 可理解为 3D 集成版本的 HBM， 垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片 ，这能进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。vHBM 也能与标准 2.5D HBM 共存。 而 vEIM 在结构上与 vHBM 类似，但其 设计瞄准的是端侧 AI 推理场景 ，初代产品目标实现 2TB/s 带宽和＜1pj / bit 的能效。 ▲ HBM 先进封装 为实现 vHBM 和 vEIM， 美光计划应用无凸块的混合键合技术 ， 导入集成散热解决方案 。 ▲ HBM 进化进程