MemSilicon

general · 首次出现 2026-10-14 · 最近出现 2026-10-14 · 累计提及 3

综述

MemSilicon(铭芯启睿)是一家专注于阻变存储器(RRAM)的新型存储芯片公司,近期因首款 1Gb 容量的 RRAM 芯片流片而受到关注。RRAM 属于下一代非易失性存储技术,与传统的 Flash 相比,在密度、功耗和写入速度上具备潜力,被视为 AI 时代存储层级补位的重要候选方向之一。铭芯启睿的核心特点在于采用 1T4R(一个晶体管连接四个存储单元)的存储结构,以提升单位面积存储密度。

MemSilicon 近期进展

  • 2026 年 10 月,铭芯启睿宣布首款芯片"泰山一号"(MountTai 2026)完成流片。该芯片基于 28nm 工艺,容量为 1Gb,采用 1T4R 结构,存储密度达到 30Mb/mm²。报道: MemSilicon Tapes Out MountTai 2026, a 28nm 1Gb RRAM Chip With One Transistor per Four Cells
  • 国内媒体报道称,这是国际首款高密度、大容量的 1T4R 架构 1Gb RRAM 芯片。1T4R 结构通过让单个晶体管驱动四个阻变单元,降低晶体管在芯片面积中的占比,从而在相同工艺节点下实现更高密度。报道: MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片
  • 科技媒体 IT之家报道确认"泰山一号"的 1T4R 存储结构与 30Mb/mm² 的密度参数,指出该芯片由铭芯启睿自主完成流片。报道: 铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片"泰山一号"流片:采用 1T4R 存储结构,密度达 30Mb/mm²
  • 当前焦点与观察点

    围绕 MemSilicon 的讨论主要集中在三点。其一是密度数据背后的工程可行性:1T4R 结构在提升密度的同时,对四个共享晶体管的阻变单元的一致性和良率提出了更高要求,30Mb/mm² 的实测表现与长期可靠性仍待量产验证。其二是市场定位:1Gb 容量介于嵌入式存储与大容量存储之间,业界普遍关注这类芯片能否在边缘 AI、物联网等场景中替代部分嵌入式 Flash 或 SRAM 份额。其三是竞争格局:RRAM 赛道上既有国际大厂的储备技术,也有多家初创公司在探索,铭芯启睿此次流片是里程碑,但从流片到量产、再到形成规模出货,中间仍有良率、成本和生态适配等多重关口,后续进展值得持续观察。

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