RRAM（阻变存储器，Resistive Random-Access Memory）是一种利用材料电阻可逆变化来存储数据的非易失性存储技术，被视为下一代存储与存内计算的重要候选路线。相比传统闪存，RRAM 在写速度、功耗和微缩潜力上具有优势，近年国内外团队正加速推动其从实验室走向量产芯片。
RRAM 近期进展
RRAM 的当前焦点与观察点
当前 RRAM 领域的争论主要集中在两条路线的取舍：一条是做高密度、大容量的通用存储，对标嵌入式闪存和新兴存储器市场；另一条是做存内计算，把 RRAM 单元的模拟特性用于矩阵运算，服务于端侧 AI。两条路线对器件一致性、良率和工艺成熟度的要求并不相同。
值得关注的观察点包括：一是 1T4R 等新型结构的良率与数据保持特性能否在大规模量产中验证；二是 22nm 等成熟工艺节点上 RRAM 与逻辑电路单片集成的成本优势；三是端侧 AI 推理需求能否为存内计算芯片提供足够的市场空间。整体来看，RRAM 正处在从原型验证向工程化产品过渡的阶段，但替代成熟存储技术的窗口期仍取决于生态和成本，短期内更可能以嵌入式存储和专用 AI 芯片的形态落地。