美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，密度翻倍，2027 下半年量产
美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
美光直接跳过 G10，新 NAND 堆到 400 多层，密度翻倍还省电 25%，2027 年就能用上。
美光在 2026 年度技术网络研讨会上预告 G11 NAND 闪存，计划 2027 下半年产能爬坡，并跳过了 G10 世代。G11 堆叠超过 400 层，采用晶圆对晶圆键合技术，存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍。I/O 速率最高提升 1.5 倍，数据传输能耗降低 25% 以上。美光还介绍了 2 种面向 AI 数据中心的 NAND 设计，包括基于 SLC 的 GPU 直连 IOPS 优化产品和类似 HBF 定义的带宽优化产品。
美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
IT之家 10 月 22 日消息，Micron（美光）当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望，本篇关注闪存类别。 美光本次预告了其预计 2027H2 产能爬坡的 G11 NAND 闪存，这家企业似乎跳过了 G10 世代。 G11 NAND 堆叠超过 400 层，应用晶圆对晶圆键合技术， 按面积计算的存储密度是现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍左右 ，同时能实现至高 1.5 倍的 I/O 速率，数据传输能耗则可减少 25% 以上。 在 G11 后，美光计划在 NAND 中导入突破性的高迁移率材料，实现超密集的单元架构，强化节能属性。 美光介绍了 2 种 AI-class 数据中心级 NAND 设计，分别是 基于 SLC 的 GPU 直连 IOPS 优化产品 、 类似 HBF 定义的带宽优化产品 。 美光还展示了其全方位的 AI 优化存储解决方案，