1δ（1-delta）是 DRAM 存储芯片的 1z 之后的先进制程节点代号，处于 1β（1-beta）之后、1γ（1-gamma）之前的迭代序列中，是内存厂商在 10 纳米级工艺上继续微缩的关键一步。随着传统 4F² 单元结构逼近物理极限，1δ 及其后续节点的量产节奏、EUV 光刻引入进度，正成为三星、SK 海力士与美光三大厂商竞争的焦点。
1δ 面临的工艺路线之争
当前焦点与观察点
围绕 1δ 节点，行业的主要争议在于微缩路径的选择：是继续沿用传统 4F² 结构做边际改进，还是尽快转向 3D DRAM、晶圆键合等新方案。美光已明确表示 4F² 缺乏可行的扩展路径，这与三星、SK 海力士仍在推进的现有路线形成张力。
对观察者而言，值得跟踪的指标有三个：一是各厂商 1δ 量产时间表与实际位元成本下降幅度；二是 EUV 层数在 DRAM 中的渗透进度，特别是 High NA EUV 在 2028 年前后能否按计划落地；三是新建产能（如美光铜锣厂）对先进节点切换速度的影响。综合来看，1δ 更像是承上启下的过渡节点，真正的分水岭在于 1ε 之后的技术路线定型。