3D DRAM

3D DRAM 是将 DRAM 存储单元从传统平面布局改为垂直堆叠的新一代内存技术路线，被业界视为平面 DRAM 微缩接近极限后的主要方向，与 GAA 晶体管、先进封装并列为存储与逻辑工艺演进的焦点。

3D DRAM 近期进展

中微公司 Primo Domingo 全球首台付运，面向 GAA 与 3D DRAM 高选择性刻蚀：中微公司的刻蚀设备 Primo Domingo 完成全球首台付运，专门面向 GAA 与 3D DRAM 工艺中的高选择性刻蚀场景。设备端针对垂直结构存储器的需求提前布局，说明产业链正在为 3D 化存储的量产做工具准备。

美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，1ε 晶圆键合、ζÅ High NA EUV：美光方面判断传统 4F² 单元结构已无可行扩展路径，未来将依赖 1ε 节点的晶圆键合以及 ζÅ 时代的 High NA EUV 等技术。这一表态间接印证了向 3D 结构转型的必要性。

后摩智能确认其下代大模型端边 AI 芯片采用 3D CIM 存算一体架构：后摩智能确认下一代端边大模型 AI 芯片采用 3D CIM 存算一体架构。虽然方向与 3D DRAM 不完全相同，但同样体现存储三维化与计算融合的行业趋势。

消息称 3D IC 逻辑-存储集成热度渐高，DRAM 市场定制化加速：市场消息显示 3D IC 逻辑与存储集成热度上升，DRAM 定制化正在加速，DRAM 与逻辑芯片的协同设计将成为常态。

当前焦点与观察点

目前关于 3D DRAM 的讨论主要集中在三点：一是传统 DRAM 单元微缩何时触及物理极限，头部厂商如美光已公开认为现有 4F² 结构缺乏扩展路径；二是垂直堆叠存储器的关键工艺（如高深宽比刻蚀、晶圆键合）能否成熟，设备厂商的新品付运是重要信号；三是 3D 化与存算一体、逻辑-存储集成等架构创新如何结合。整体来看，3D DRAM 尚处技术探索与产业链筹备阶段，距离大规模量产仍有较长的路线图，值得持续跟踪设备、材料与厂商节点规划的实际落地进度。

综述

3D DRAM 近期进展

当前焦点与观察点

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